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肖特基二極管在構(gòu)造原理上與PN結(jié)二極管有很大差異，它的內(nèi)部是由陽極金屬（用鉬或鋁等資料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除資料、N-外延層（砷資料）、N型硅基片、N+陰極層及陰極金屬等構(gòu)成，如圖4-44所示。在N型基片和陽極金屬之間構(gòu)成肖特基勢壘。當(dāng)在肖特基勢壘兩頭加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極）時(shí)，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變?。环粗?，若在肖特基勢壘兩頭加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。
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